（上海18日综合电）近日，中国上海集成芯片与系统全国重点实验室的周鹏和刘春森团队，成功构建了准二维泊松模型，理论上预测超注入现象，这一突破打破了现有存储速度的理论极限，研发出“破晓（PoX）”皮秒闪存器件。
该器件的擦写速度达到了亚1纳秒，具体为400皮秒，相当于每秒可执行25亿次操作，成为全球最快的半导体电荷存储技术。
在人工智能时代，大数据的高速存储显得尤为重要。如何突破信息存储速度的极限，一直是集成电路领域面临的核心问题，也是限制AI算力的关键技术瓶颈。
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