三星全球首发 量产3纳米芯片

（首尔30日综合电）韩国科技巨头三星电子30日宣布，旗下华城工厂已利用3纳米或纳米芯片（3-nanometer or nm chips）全环绕栅极（GAA）制程工艺节点开始量产首批芯片，成为全球首家量产3纳米芯片的半导体晶圆代工厂。

3纳米被认为是世界上最先进的芯片。三星此举将击败了其竞争对手台积电，后者是全球最大的芯片制造商。台积电据悉计划下半年起量产3纳米芯片，再将GAA技术应用于其2纳米工艺。

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据介绍，与前几代使用鳍式场效应晶体管（FinFET）的芯片不同，第一代3纳米工艺采用GAA晶体管技术，大幅提升了效能。与三星5纳米工艺相比，第一代3纳米工艺可使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面积减少16%。

三星表示，将于明年投入的第二代3纳米工艺能使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面积减少35%。

据台湾调研机构集邦谘询（TrendForce）提供的数据，以今年第一季度为准，台积电的全球市场份额以53.6%位居第一，三星电子以16.3%位居第二。