(首尔30日综合电)韩国科技巨头三星电子30日宣布,旗下华城工厂已利用3纳米或纳米芯片(3-nanometer or nm chips)全环绕栅极(GAA)制程工艺节点开始量产首批芯片,成为全球首家量产3纳米芯片的半导体晶圆代工厂。
3纳米被认为是世界上最先进的芯片。三星此举将击败了其竞争对手台积电,后者是全球最大的芯片制造商。台积电据悉计划下半年起量产3纳米芯片,再将GAA技术应用于其2纳米工艺。
据介绍,与前几代使用鳍式场效应晶体管(FinFET)的芯片不同,第一代3纳米工艺采用GAA晶体管技术,大幅提升了效能。与三星5纳米工艺相比,第一代3纳米工艺可使功耗降低45%,性能提升23%,芯片面积减少16%。
三星表示,将于明年投入的第二代3纳米工艺能使功耗降低50%,性能提升30%,芯片面积减少35%。
据台湾调研机构集邦谘询(TrendForce)提供的数据,以今年第一季度为准,台积电的全球市场份额以53.6%位居第一,三星电子以16.3%位居第二。